JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex - Syifaul Fuada (Teknik elektro UGM Vol 4 No 3, 2015)
Makalah ini menjelaskan tentang desain Broadband RF Power Amplifier 4G LTE yang beroperasi pada frekuensi 2,3 GHz, sesuai dengan frekuensi kerja operator selular Smartfren untuk BTS. RF Power Amplifier yang digunakan adalah penguat kelas A dengan transistor jenis GaN HEMT tipe CREE CGH40120F. Rancangan ini disimulasikan menggunakan program Power Advanced Design (ADS) versi 2014. Hasil simulasi menunjukkan bahwa Power Amplifier dalam keadaan stabil (K>1) pada frekuensi 2,3 GHz dengan S11 dan S22 match, menghasilkan output power 43,44 dBm 22,08 watt dengan penguatan 20,5 dB, return of loss <-5 dB, dan efisiensi power supply maksimum sebesar 39.8%.