Atmadi, A. (1998). Fabrikasi dan karakterisasi lapisan I, P dan N A-µC-Si: H yang dideposisi dalam reaktor PECVD tunggal pada frekuensi 70 Mhz. Institut Teknologi Bandung.
Chicago Style CitationAtmadi, Aufridus. Fabrikasi Dan Karakterisasi Lapisan I, P Dan N A-µC-Si: H Yang Dideposisi Dalam Reaktor PECVD Tunggal Pada Frekuensi 70 Mhz. Institut Teknologi Bandung, 1998.
MLA CitationAtmadi, Aufridus. Fabrikasi Dan Karakterisasi Lapisan I, P Dan N A-µC-Si: H Yang Dideposisi Dalam Reaktor PECVD Tunggal Pada Frekuensi 70 Mhz. Institut Teknologi Bandung, 1998.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.