Cover Image

JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex

Makalah ini menjelaskan tentang desain Broadband RF Power Amplifier 4G LTE yang beroperasi pada frekuensi 2,3 GHz, sesuai dengan frekuensi kerja operator selular Smartfren untuk BTS. RF Power Amplifier yang digunakan adalah penguat kelas A dengan transistor jenis GaN HEMT tipe CREE CGH40120F. Rancan...

Full description

Main Author: Syifaul Fuada
Format: Jurnal
Language: Bahasa Indonesia
Published: Teknik elektro UGM Vol 4 No 3 2015
Subjects:
Online Access: http://oaipmh-jogjalib.umy.ac.idkatalog.php?opo=lihatDetilKatalog&id=82740
PINJAM
id oai:lib.umy.ac.id:82740
recordtype oai_dc
spelling oai:lib.umy.ac.id:827402021-06-16T13:11:03ZJURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division DuplexSyifaul Fuada Makalah ini menjelaskan tentang desain Broadband RF Power Amplifier 4G LTE yang beroperasi pada frekuensi 2,3 GHz, sesuai dengan frekuensi kerja operator selular Smartfren untuk BTS. RF Power Amplifier yang digunakan adalah penguat kelas A dengan transistor jenis GaN HEMT tipe CREE CGH40120F. Rancangan ini disimulasikan menggunakan program Power Advanced Design (ADS) versi 2014. Hasil simulasi menunjukkan bahwa Power Amplifier dalam keadaan stabil (K>1) pada frekuensi 2,3 GHz dengan S11 dan S22 match, menghasilkan output power 43,44 dBm 22,08 watt dengan penguatan 20,5 dB, return of loss <-5 dB, dan efisiensi power supply maksimum sebesar 39.8%. Teknik elektro UGM Vol 4 No 3 2015JurnalISBN:ISSN : 2301-4156JNTETI TAHUN VOL NO 2015 4 3 Bahasa Indonesiahttp://oaipmh-jogjalib.umy.ac.idkatalog.php?opo=lihatDetilKatalog&id=82740
institution Universitas Muhammadiyah Yogyakarta
collection Perpustakaan Yogyakarta
language Bahasa Indonesia
topic
spellingShingle
Syifaul Fuada
JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
description Makalah ini menjelaskan tentang desain Broadband RF Power Amplifier 4G LTE yang beroperasi pada frekuensi 2,3 GHz, sesuai dengan frekuensi kerja operator selular Smartfren untuk BTS. RF Power Amplifier yang digunakan adalah penguat kelas A dengan transistor jenis GaN HEMT tipe CREE CGH40120F. Rancangan ini disimulasikan menggunakan program Power Advanced Design (ADS) versi 2014. Hasil simulasi menunjukkan bahwa Power Amplifier dalam keadaan stabil (K>1) pada frekuensi 2,3 GHz dengan S11 dan S22 match, menghasilkan output power 43,44 dBm 22,08 watt dengan penguatan 20,5 dB, return of loss <-5 dB, dan efisiensi power supply maksimum sebesar 39.8%.
format Jurnal
author Syifaul Fuada
author_sort Syifaul Fuada
title JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
title_short JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
title_full JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
title_fullStr JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
title_full_unstemmed JURNAL NASIONAL TEKNIK ELEKTRO DAN TEKNOLOGI INFORMASI: Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
title_sort jurnal nasional teknik elektro dan teknologi informasi: perancangan broadband rf power amplifier 2,3 ghz pada 4g lte time division duplex
publisher Teknik elektro UGM Vol 4 No 3
publishDate 2015
url http://oaipmh-jogjalib.umy.ac.idkatalog.php?opo=lihatDetilKatalog&id=82740
isbn ISBN:ISSN : 2301-4156
callnumber-raw JNTETI TAHUN VOL NO 2015 4 3
callnumber-search JNTETI TAHUN VOL NO 2015 4 3
_version_ 1702754752510558208
score 14.79448

Similar Items